ヘテロ接合半導体デバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-156567
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008285
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】ショットキー接合のリーク電流を低減する。【構成】 2層構造のショットキー層において、基板1側に形成される第1ショットキー層6aが、第2ショットキー層6bに対して障壁層となっている。ショットキー電極8側に形成される第2ショットキー層6bの層厚は、第2ショットキー層6b中におけるキャリアの平均自由行程よりも大きくされている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、または、半導体基板上に積層された半導体デバイス主構造部上に、第1半導体からなる第1ショットキーコンタクト層と、第2半導体からなる第2ショットキーコンタクト層と、金属電極とが基板側からこの順に積層され、該第2ショットキーコンタクト層に対して該第1ショットキーコンタクト層が障壁層となり、該第2ショットキーコンタクト層の層厚が、該第2ショットキーコンタクト層中におけるキャリアの平均自由行程より大きい寸法となっているヘテロ接合半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/48 F , H01L 29/48 H , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-159730
特開昭62-264672
高電子移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-128967 出願人：株式会社東芝

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