特許

J-GLOBAL ID：200903085435005048

露光方法

発明者： 川久保 昌治
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 大森 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130131
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330204
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 ミックス・アンド・マッチ方式でクリティカルレイヤとミドルレイヤとが混在するような基板に露光を行う場合に、そのクリティカルレイヤのパターンとミドルレイヤのパターンとの重ね合わせ精度を高める。【構成】 ウエハW上のクリティカルレイヤ上にミドルレイヤのショット領域SB1,SB2,...,SBNを露光する。各ショット領域SBn内にそれぞれ4つのクリティカルレイヤのショット領域が含まれている。4つのショット領域SBa〜SBdを計測対象として、各ショット領域SBa〜SBd内で互いに同一の位置にある計測点32A〜32Dでそれぞれクリティカルレイヤのバーニアマークとミドルレイヤのバーニアマークとの位置ずれ量を計測し、この計測結果よりミドルレイヤの位置合わせを行う際の座標変換パラメータの補正値を求める。

請求項（抜粋）：

露光対象とする感光基板上で所定の大きさの第1の露光フィールドを有する第1の露光装置と、前記第1の露光フィールドに対して直交する第1、及び第2の方向に対してそれぞれM1/N1 倍(M1,N1 はM1 >N1 なる整数)、及びM2/N2 倍(M2,N2 はM2 ≧N2 なる整数)の大きさの第2の露光フィールドを有する第2の露光装置とを用いて、前記感光基板上にマスクパターンを重ねて露光する露光方法において、前記第1の露光装置を用いて、位置合わせ用マーク及び第1の重ね合わせ精度計測用マークの形成された第1のマスクパターンを、前記第1の露光フィールドを単位として前記感光基板上で前記第1の方向及び第2の方向に並べて順次露光する第1工程と;前記第2の露光装置を用いて、第2の重ね合わせ精度計測用マークの形成された第2のマスクパターンを、前記第1工程で前記感光基板上に露光された複数の前記第1のマスクパターンの像の上に、前記位置合わせ用マークの像の位置を基準として前記第2の露光フィールドを単位として前記感光基板上で前記第1の方向及び第2の方向に並べて露光する第2工程と;前記感光基板上で前記第1の方向に前記第2の露光フィールドの幅のN1 倍、且つ前記第2の方向に前記第2の露光フィールドの幅のN2 倍の大きさの領域を単位として、前記感光基板上の露光領域を複数の基準計測領域に分割し、該複数の基準計測領域から選択された所定個数の基準計測領域内で互いに同じ位置にある前記第1の重ね合わせ精度計測用マークの像と前記第2の重ね合わせ精度計測用マークの像との位置ずれ量を計測し、該計測された位置ずれ量に基づいて前記第2の露光装置で前記第1の露光装置により露光された前記位置合わせ用マークの像の位置を検出する際の補正値を求める第3工程と;を有し、その後第1の露光装置で露光された感光基板上に前記第2の露光装置を用いて重ね合わせ露光する際に、前記第3工程で求めた前記補正値を用いて露光位置の補正を行うことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 9/00

FI (5件)：

H01L 21/30 514 A ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 516 B ,  H01L 21/30 525 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 位置合わせ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-294812   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-324615
  
• 特開平2-051214
  
• 重ね合わせ露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222632   出願人：ソニー株式会社