特許

J-GLOBAL ID：200903085435268324

薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びに、アクティブマトリクス型表示装置及びその製造方法

発明者： 竹口 徹 ,  本並 薫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117237
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294491
出願日： 2006年04月20日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】安定な特性の薄膜トランジスタ、及びその製造方法、並びに表示装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一態様にかかるTFT20は、TFTアレイ基板10上に設けられた絶縁性の下地膜21と、下地膜21の上に設けられたチャネル領域222を含む半導体膜22とを備え、チャネル領域222における半導体膜22中の不純物濃度が、半導体膜22の膜厚方向において略一定であり、チャネル領域222における半導体膜22と下地膜21との界面において不純物濃度が不連続であり、下地膜21中の不純物濃度が、半導体膜22中の不純物濃度よりも低く、かつTFTアレイ基板10側に向かうにつれて単調に減少しているものである。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた絶縁性の下地膜と、 前記下地膜の上に設けられたチャネル領域を含む半導体膜とを備え、 前記チャネル領域における前記半導体膜中の不純物濃度が、前記半導体膜の膜厚方向において略一定であり、 前記チャネル領域における前記半導体膜と前記下地膜との界面において前記不純物濃度が不連続であり、 前記下地膜中の不純物濃度が、前記半導体膜中の不純物濃度よりも低く、かつ前記基板側に向かうにつれて単調に減少している薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G02F 1/133

FI (6件)：

H01L29/78 626C ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 505

Fターム (84件)：

2H090HD03 ,  2H090LA01 ,  2H092JA24 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB56 ,  2H092JB58 ,  2H092MA06 ,  2H092MA29 ,  2H092MA30 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  5F110AA06 ,  5F110AA13 ,  5F110AA15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG37 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG52 ,  5F110GG53 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL06 ,  5F110NN03 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP26 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA08 ,  5F152BB02 ,  5F152BB06 ,  5F152CC02 ,  5F152CC05 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE05 ,  5F152CE12 ,  5F152CE24 ,  5F152CE32 ,  5F152CE35 ,  5F152CE36 ,  5F152CE37 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF21 ,  5F152FF28 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 薄膜トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-268414   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-246066   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所