半導体装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-246066
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068114
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】従来のチャネルドープとは異なる手段でしきい値電圧を制御するための技術を提供する。【解決手段】下地膜102の表面近傍に対してしきい値電圧を制御するための不純物元素(13族または15族の元素)を添加する。そして、その上に結晶性珪素膜108を形成し、その結晶化に利用した触媒元素のゲッタリングプロセスを行う。この処理中に下地膜102から結晶性珪素膜108へと逆拡散する上記不純物元素を利用して、所望のしきい値電圧を得る。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜からなるチャネル形成領域を含む半導体装置であって、前記チャネル形成領域中にはしきい値電圧を制御するための不純物元素が含まれており、前記チャネル形成領域中における前記不純物元素の濃度は、前記チャネル形成領域と前記基板との界面において最大値をとり、且つ、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 29/78 618 F , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 G , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭61-220425
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-118637 出願人：三洋電機株式会社
特開昭64-066969

全件表示

前のページに戻る