特許

J-GLOBAL ID：200903085445106829

半導体レーザ素子

発明者： 山中 英生 ,  福永 敏明 ,  国安 利明
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-360432
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164618
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 端面での光吸収をなくした半導体レーザ素子において、さらに高出力で高い信頼性を得る。【解決手段】 i-In0.13Ga0.87As0.75P0.25量子井戸活性層5の上下に、i-In0.4Ga0.6P引張り歪バリア層4および6を設け、共振器端面近傍のp-GaAsコンタクト層9を除去し、上面に絶縁膜12を電流注入領域を除く領域に形成し、p電極13を両端面近傍を除く領域に形成する。

請求項（抜粋）：

第一導電型GaAs基板上に、少なくとも第一導電型第一クラッド層、第一導電型あるいはi型の第一光導波層、引張り歪を有するi型のInx2Ga1-x2As1-y2Py2第一バリア層(ただし、x2/0.49≦y2≦0.3+(x2/0.49)、0.8≦y2≦1.0)、i型のInx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層(ただし、0≦x3≦0.2、y3=x3/0.49)、引張り歪を有するi型のInx2Ga1-x2As1-y2Py2第二バリア層(ただし、x2/0.49≦y2≦0.3+(x2/0.49)、0.8≦y2≦1.0)、第二導電型あるいはi型の第二光導波層、第二導電型第二クラッド層、第二導電型コンタクト層がこの順に積層されてなる対向する2つの共振器端面を有する半導体レーザ素子において、前記第一クラッド層および第二クラッド層がそれぞれ前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一光導波層および第二光導波層がそれぞれ前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一バリア層と第二バリア層との合計層厚が10nm以上30nm以下であり、前記第一バリア層および第二バリア層が、それぞれ、前記GaAs基板に対して引張り歪を有し、該2つのバリア層に共通する引張り歪量と前記合計層厚の積が0.05nm以上0.2nm以下である組成からなり、前記量子井戸活性層が前記GaAs基板に格子整合する組成、あるいは前記基板に対して0.007までの引張り歪を有する組成からなり、前記対向する2つの共振器端面の少なくとも一方の近傍に電流非注入領域が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01S 5/16 ,  H01S 5/343

Fターム (10件)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA86 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-317644   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 半導体レーザ素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-154916   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-319309   出願人：古河電気工業株式会社
• 窒化ガリウム系半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-146786   出願人：シャープ株式会社