半導体レーザ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柳田征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-317644
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220224
出願日： 1998年11月09日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 0.8μm帯の半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Ga1-z1Alz1Asクラッド層2、n-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1 光導波層3、i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 引張り歪バリア層4、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 量子井戸活性層5、i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 引張り歪バリア層6、p-Inx1Ga1-x1As1-y1Py1 光導波層7、p-Ga1-z1Alz1As クラッド層8、p-GaAsコンタクト層9を順次形成する。そして各クラッド層2,8および各光導波層3,7はそれぞれGaAs基板1に格子整合する組成比とし、引張り歪バリア層4,6の合計層厚は10〜30nmとし、また引張り歪バリア層4,6の組成は、引張り歪の歪量が、歪量×合計層厚=0.05〜0.2nmとなるものとする。

請求項（抜粋）：

GaAs基板上に、pおよびn型の一方の導電性を有する第一クラッド層、第一光導電層、Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 第一バリア層、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 量子井戸活性層、Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 第二バリア層、第二光導波層、p型およびn型の他方の導電性を有する第二クラッド層がこの順に積層されてなる半導体レーザ装置であって、前記第一および第二クラッド層が前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二光導波層が前記GaAs基板に格子整合する組成からなり、前記第一および第二バリア層が、前記GaAs基板に対して引張り歪を有する、合計層厚10〜30nmの層であって、その引張り歪の歪量×合計層厚=0.05〜0.2nmを満たす組成からなり、前記Inx3Ga1-x3As1-y3Py3 量子井戸活性層が、前記GaAs基板に格子整合する組成、もしくは、前記GaAs基板に対して0.003 までの引張り歪を有する組成からなるものであることを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-194990
特開平4-234184
半導体光素子及びそれを使用した半導体光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251107 出願人：日本電信電話株式会社

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