Bi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉およびこれを焼結してなるBi-2223相多結晶体

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和田憲治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038524
公開番号（公開出願番号）：特開平10-226569
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】高い臨界電流密度を有するBi系酸化物超電導体材料を得ることができる仮焼粉を得る。【解決手段】 Bi-2223相結晶の成分組成と等しくなるように各成分を配合してなる平均粒径5μm以下の仮焼粉であって,Bi-2212相結晶および前記の両相以外の不純物相を含み,且つ炭素含有量が300ppm以下であるBi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉。

請求項（抜粋）：

Bi-2223相結晶の成分組成と等しくなるように各成分を配合してなる平均粒径5μm以下の仮焼粉であって,Bi-2212相結晶および前記の両相以外の不純物相を含み,且つ炭素含有量が300ppm以下であるBi系酸化物超電導体製造用の仮焼粉。

IPC (3件)：

C04B 35/45 ZAA , C01G 1/00 , C01G 29/00 ZAA

FI (3件)：

C04B 35/00 ZAA K , C01G 1/00 S , C01G 29/00 ZAA

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-237910
特開平4-065344
Bi系酸化物超電導線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-325630 出願人：昭和電線電纜株式会社

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