特許
J-GLOBAL ID：200903085475836082

ハロゲン化タンタル前駆体からのTa膜のPECVD

発明者：
ホウタラ、ジョン、ジェイ

ホウタラ、ジョン、ジェイ について

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ウェステンドープ、ジョウハニーズ、エフ、エム

ウェステンドープ、ジョウハニーズ、エフ、エム について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について

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トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド

トーキョー エレクトロン アリゾナ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-614489
公開番号（公開出願番号）：特表2002-543286
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2002年12月17日
要約：
【要約】無機質前駆体五ハロゲン化タンタル(TaX5)から高品質の共形のタンタル(Ta)膜を付着させるためのプラズマ励起化学気相蒸着(PECVD)方法が記載される。無機質前駆体ハロゲン化タンタルは五フッ化タンタル(TaF5)、五塩化タンタル(TaCl5)および五臭化タンタル(TaBr5)である。TaX5蒸気は加熱されたチャンバーの中に送達される。この蒸気はプロセスガスと合わされて、300°C〜500°Cに加熱されている基板の上にTa膜を付着させる。付着されたTa膜は、銅膜を含有する特に高アスペクト比の小さな特徴の集積回路にとって有効である。
請求項（抜粋）：
基板上に(Ta)膜を付着させる方法であって、前記基板を収容している反応チャンバーにハロゲン化タンタル前駆体の蒸気を、前記前駆体を蒸発させるのに十分な温度に前記前駆体を加熱することによって提供し、それから、前記蒸気をプロセスガスと合わせてプラズマ励起化学気相蒸着(PECVD)プロセスによって前記Taを前記基板上に付着させることを含む、前記方法。
IPC (3件)：
C23C 16/14 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301
FI (3件)：
C23C 16/14 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R
Fターム (18件)：
4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030BA17 ,  4K030CA04 ,  4K030FA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF16 ,  4M104HH13
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平3-104871
  • バリア膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社
  • 特開平3-209869
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-104871
  • バリア膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225711   出願人：日本真空技術株式会社
  • 特開平3-209869
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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