特許
J-GLOBAL ID：200903085478188510
MOSトランジスタ、半導体装置及びそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-275095
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139315
出願日： 1994年11月09日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 ホットキャリア耐性が向上したMOSトランジスタを得る。【構成】 ゲート電極8の側面とゲート絶縁膜7の側面と半導体基板1の一主面に接して形成されるサイドウォール9を有したものにおいて、サイドウォール9を、半導体基板1の一主面に垂直な方向の断面における濃度分布が半導体基板1の一主面との界面にピークを有するように窒素が導入された酸化膜からなるものとした。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面にチャネル領域を挟んで形成された一対のソース/ドレイン領域、これら一対のソース/ドレイン領域の間に位置する上記半導体基板の一主面上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極、上記ゲート電極の側面と上記ゲート絶縁膜の側面と上記半導体基板の一主面に接して形成されるとともに、窒素が導入され、上記半導体基板の一主面に垂直な方向の断面における上記窒素の濃度分布が上記半導体基板の一主面との界面にピークを有する酸化膜からなるサイドウォールを備えたMOSトランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 29/78
, H01L 21/265
, H01L 21/28 301
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 X
, H01L 21/265 L
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 P
