特許

J-GLOBAL ID：200903085485729012

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 浅尾 吉昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-022247
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192636
出願日： 2007年01月31日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】セルサイズを縮小することを可能とする。【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第1及び第2のビット線BLと、第1及び第2のビット線を有するグループGPに対して1つ設けられ、第1のビット線と隣り合い、第1及び第2のビット線と同じ第1の方向に延在されたソース線SLと、第1のビット線に接続された第1の磁気抵抗効果素子MTJaと、第2のビット線に接続された第2の磁気抵抗効果素子MTJcと、第1の磁気抵抗効果素子と直列接続された第1のトランジスタTraと、第2の磁気抵抗効果素子と直列接続された第2のトランジスタTrcとを具備し、第1の磁気抵抗効果素子と第1のトランジスタとを有する第1のセルと第2の磁気抵抗効果素子と第2のトランジスタとを有する第2のセルがソース線に共通接続されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1及び第2のビット線と、 前記第1及び第2のビット線を有するグループに対して1つ設けられ、前記第1のビット線と隣り合い、前記第1及び第2のビット線と同じ第1の方向に延在されたソース線と、 前記第1のビット線に接続された第1の磁気抵抗効果素子と、 前記第2のビット線に接続された第2の磁気抵抗効果素子と、 前記第1の磁気抵抗効果素子と直列接続された第1のトランジスタと、 前記第2の磁気抵抗効果素子と直列接続された第2のトランジスタと を具備し、 前記第1の磁気抵抗効果素子と前記第1のトランジスタとを有する第1のセルと前記第2の磁気抵抗効果素子と前記第2のトランジスタとを有する第2のセルとが前記ソース線に共通接続されていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (3件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (40件)：

4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD10 ,  4M119DD17 ,  4M119DD23 ,  4M119DD24 ,  4M119DD25 ,  4M119DD26 ,  4M119DD27 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119EE35 ,  4M119FF05 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119GG07 ,  4M119GG08 ,  5F092AA12 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BC04 ,  5F092BC46 ,  5F092EA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• マグネチックラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-193995   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 磁気抵抗性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-333195   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (2件)

• マグネチックラム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-193995   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
• 磁気抵抗性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-333195   出願人：株式会社ルネサステクノロジ