半導体装置及びその製造方法並びに位相シフトマスク

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-286687
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338504
出願日： 2002年09月30日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：

【要約】【課題】チップ面積の増加を抑制しながら、周縁部における剥離を防止して高い耐湿性を確保することができる半導体装置及びその製造方法、並びにその半導体装置を製造する際に用いることができる位相シフトマスクを提供する。【解決手段】集積回路部1を取り囲むようにして主壁部2が設けられている。主壁部の各隅部と集積回路部との間に副壁部3が設けられている。副壁部の互いに直交する部位は、夫々主壁部の互いに直交する部位と平行に延びている。副壁部の中では、その屈曲部が主壁部の屈曲部に最も近く位置している。熱処理等により応力が集中したとしても、この応力が主壁部及び副壁部に分散されるため、層間の剥離及びクラックが生じにくくなる。また、例えクラック等が隅部に生じたとしても、主壁部及び副壁部が互いに連結されている場合には、外部からの水分は集積回路部には極めて到達しにくい。このため、極めて高い耐湿性を確保することができる。

請求項（抜粋）：

集積回路が形成された集積回路部と、前記集積回路部を取り囲む金属膜を備える主壁部と、前記集積回路部と前記主壁部との間に選択的に形成された金属膜を備える副壁部とを有し、前記集積回路部、前記主壁部及び前記副壁部は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、選択的に開口部が形成された1又は2以上の層間絶縁膜とを共有し、前記集積回路を構成する配線の一部並びに前記主壁部及び前記副壁部に夫々備えられた前記金属膜の一部が実質的に同一の層に形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/66 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (5件)：

G03F 1/08 A , H01L 21/66 F , H01L 21/88 S , H01L 21/30 502 P , H01L 27/04 T

Fターム (58件)：

2H095BB03 , 4M106AA02 , 4M106AC02 , 4M106AC07 , 4M106AD01 , 4M106BA14 , 4M106CA10 , 4M106DH09 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033MM21 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ01 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ27 , 5F033QQ35 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR21 , 5F033SS22 , 5F033UU01 , 5F033UU04 , 5F033VV00 , 5F033VV03 , 5F033VV12 , 5F033XX17 , 5F033XX18 , 5F033XX19 , 5F033XX28 , 5F033XX37 , 5F038BH09 , 5F038BH16 , 5F038DT10 , 5F038DT12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

位相シフトマスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-083500 出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド

審査官引用 (1件)

エネルギー解放クラック・ストッパおよびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-227676 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション, シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト

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