特許
J-GLOBAL ID：200903085497260419
多波長半導体レーザとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-272149
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013414
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】本発明は多波長半導体レーザ製造方法に関するものである。【解決手段】窒化物単結晶成長のための基板上に第1半導体レーザのための窒化物エピタキシャル層を形成するステップと、基板から窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、窒化物エピタキシャル層を第1導電型基板31上に接合するステップと、窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第1半導体レーザ構造20aを形成するステップと、露出した第1導電型基板31の一部上面に第2半導体レーザ構造20b及び第3半導体レーザ構造20cを順次に形成するステップとを含む多波長半導体レーザ製造方法を提供する。【選択図】 図18
請求項（抜粋）：
窒化物単結晶成長用基板を設けるステップと、
前記窒化物単結晶成長用基板上に第1導電型第1クラッド層、第1活性層及び第2導電型第1クラッド層を順次に成長させ窒化物エピタキシャル層を形成するステップと、
前記窒化物単結晶成長用基板から前記窒化物エピタキシャル層を分離するステップと、
前記窒化物エピタキシャル層を第1導電型基板上に接合するステップと、
前記第1導電型基板の一領域が露出するように前記窒化物エピタキシャル層を選択的に除去して第1半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の一部上面に前記第1半導体レーザ構造と分離されるように、第1導電型第2クラッド層、第2活性層及び第2導電型第2クラッド層が順次に成長させられた第2半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の一領域中の他の一部上面に前記第1及び第2半導体レーザ構造と分離されるように、第1導電型第3クラッド層、第3活性層及び第2導電型第3クラッド層が順次に成長させられた第3半導体レーザ構造を形成するステップと、
前記第1導電型基板の下面と前記第1ないし第3半導体レーザ構造における各第2導電型クラッド層に接続される第1及び第2電極を形成するステップと、
を含む多波長半導体レーザの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F173AA08
, 5F173AD06
, 5F173AH02
, 5F173AH08
, 5F173AH22
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP33
, 5F173AP43
, 5F173AQ02
, 5F173AQ03
