特許
J-GLOBAL ID：200903085518153430

半導体装置の製造方法

発明者：
吉原 晋二

吉原 晋二 について

, 
武藤 浩司

武藤 浩司 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 伊藤 洋二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108458
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299369
出願日： 1999年04月15日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：
【要約】【課題】 紫外線(UV)硬化性の有機物よりなる粘着剤によって半導体基板表面に貼り付けられた保護キャップを剥離する工程を有する半導体装置の製造方法において、装置の低コスト化及び信頼性低下の防止を実現しつつ、半導体基板表面での粘着剤残りを低減する。【解決手段】 ダイシングカット後、半導体基板20の表面21に貼り付けられた保護キャップ10上を、主波長が185nm及び254nmである紫外線にて露光することにより、保護キャップ10の粘着剤12を硬化させるとともに、該紫外線の光化学反応によって発生する酸素ラジカル及びオゾンと粘着剤12とを反応させ、粘着剤12の一部をCOやCO2 等として気化させて除去する。
請求項（抜粋）：
基材(11)と紫外線硬化性の有機物である粘着剤(12)とからなり、前記粘着剤によって半導体基板(20)の表面に貼り付けられた保護キャップ(10)を、前記半導体基板の表面から剥離する剥離工程を有する半導体装置の製造方法において、前記剥離工程は、前記半導体基板の表面に貼り付けられた前記保護キャップ上を、紫外線にて露光することにより、前記粘着剤を硬化させるとともに、前記粘着剤と前記紫外線によって発生する酸素ラジカル及びオゾンとを反応させ、前記粘着剤の一部を気化させて除去する硬化工程と、この硬化工程の後、前記保護キャップを前記半導体基板の表面から除去する除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/68 ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84
FI (3件)：
H01L 21/68 N ,  G01P 15/125 ,  H01L 29/84 Z
Fターム (22件)：
4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA22 ,  4M112CA26 ,  4M112CA34 ,  4M112DA03 ,  4M112DA11 ,  4M112DA13 ,  4M112DA15 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112DA20 ,  4M112EA02 ,  4M112EA14 ,  4M112FA06 ,  4M112FA07 ,  4M112FA20 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031MA35 ,  5F031MA38 ,  5F031MA39
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM