特許
J-GLOBAL ID：200903085531749066

半導体装置の製造方法

発明者：
藤井 邦宏

藤井 邦宏 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026446
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223477
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 酸素プラズマ処理でレジスト除去の後に大気中に取り出すと、フッ素がアルミニウム合金膜を浸食し、スルーホールがその反応生成物で埋設され、スルーホールの電気特性及び良品率を著しく低下させる。【解決手段】 半導体装置の製造方法において、フロロカーボン系のガスによりスルーホールをドライエッチングにて開孔し、その後、スルーホール内に堆積した反応生成物中のフッ素を還元除去可能な水素を含有するガスと酸素との混合ガスを用いたプラズマ処理により、レジスト並びにフッ素を除去することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
フロロカーボン系のガスにより、スルーホールをドライエッチングにて開孔するドライエッチング工程と、その後、スルーホール内に堆積した反応生成物中のフッ素を還元除去可能な水素を含有するガスと酸素との混合ガスを用いたプラズマ処理により、レジスト並びにフッ素を除去するプラズマ処理工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/302 H ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 A
Fターム (53件)：
5F004AA09 ,  5F004AA11 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB26 ,  5F004BD05 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB26 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F004EB03 ,  5F033HH09 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK09 ,  5F033KK18 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ95 ,  5F033QQ96 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057731   出願人：日本電気株式会社
  • 試料の後処理方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-298413   出願人：株式会社日立製作所

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