特許
J-GLOBAL ID：200903085546129528

半導体装置及びその製造方法

発明者：
原 明稔

原 明稔 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-278863
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093992
出願日： 2000年09月13日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】 下側に搭載する半導体素子より大きな半導体素子を上側に搭載できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、表面に導電パターン12を有する基板11と、この基板上に搭載された第1の半導体素子13と、第1の半導体素子上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより小さい主面を有するスペーサ15と、このスペーサ上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより大きい主面を有する第2の半導体素子16と、第1の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第1のボンディングワイヤ17と、第2の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第2のボンディングワイヤ18と、基板の上面、第1の半導体素子、第2の半導体素子、スペーサ、第1のボンディングワイヤ、及び、第2のボンディングワイヤが封止された樹脂20と、を具備する。
請求項（抜粋）：
表面に導電パターンを有する基板と、この基板上に搭載された第1の半導体素子と、第1の半導体素子上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより小さい主面を有するスペーサと、このスペーサ上に搭載された、第1の半導体素子の主面の大きさより大きい主面を有する第2の半導体素子と、第1の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第1のボンディングワイヤと、第2の半導体素子と上記導電パターンとが接続された第2のボンディングワイヤと、基板の上面、第1の半導体素子、第2の半導体素子、スペーサ、第1のボンディングワイヤ、及び、第2のボンディングワイヤが封止された樹脂と、を具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04
FI (2件)：
H01L 25/08 Z ,  H01L 25/04 Z
引用特許：
審査官引用 (3件)

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