特許
J-GLOBAL ID:200903085558386372

パターン形成材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-117688
公開番号(公開出願番号):特開2001-305737
出願日: 2000年04月19日
公開日(公表日): 2001年11月02日
要約:
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜30nm帯又は110nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を用いてレジストパターンを形成する場合に、スカムを殆ど発生させることなく、良好なパターン形状を有するレジストパターンが得られるようにする。【解決方法】 パターン形成材料は、[化1]の一般式で表わされるシロキサン化合物(但し、R1 は、同種又は異種であって、アルキル化合物、エステル化合物、エーテル化合物、スルフォン化合物、スルフォニル化合物又は芳香族化合物である。)を含むベース樹脂を有している。【化1】
請求項(抜粋):
[化1]の一般式で表わされるシロキサン化合物(但し、R1は、同種又は異種であって、アルキル化合物、エステル化合物、エーテル化合物、スルフォン化合物、スルフォニル化合物又は芳香族化合物である。)を含むベース樹脂を有することを特徴とするパターン形成材料。【化1】
IPC (10件):
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/14 ,  C08G 77/28 ,  C08G 77/48 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/08 ,  C08L 83/14 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (11件):
G03F 7/039 601 ,  C08G 77/14 ,  C08G 77/28 ,  C08G 77/48 ,  C08L 83/06 ,  C08L 83/08 ,  C08L 83/14 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 515 B
Fターム (35件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AA10 ,  2H025AB16 ,  2H025AC05 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB32 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H097BA06 ,  2H097CA13 ,  2H097FA03 ,  2H097JA03 ,  2H097LA10 ,  4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002CP101 ,  4J002CP191 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA15 ,  4J035CA072 ,  4J035CA262 ,  4J035HA01 ,  4J035LB16 ,  5F046CA04 ,  5F046CA07
引用特許:
審査官引用 (2件)

前のページに戻る