特許
J-GLOBAL ID：200903085610600604
スパッタリングターゲットとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-524845
公開番号（公開出願番号）：特表2000-515929
出願日： 1997年01月03日
公開日（公表日）： 2000年11月28日
要約：
【要約】電気抵抗が0.5Ω・cm以下で、xが2以下の半化学量論的な二酸化チタンからなり、必要により酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸素を含まず、かつ酸素含有化合物を含まない雰囲気でターゲット基材上に、二酸化チタンTiO2、そして必要により酸化ニオブも一緒にプラズマ溶射する工程と、半化学量論的二酸化チタンが酸素と結合しない条件で冷却され凝固してなるTiOxでターゲット基材を被覆する工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法。
請求項（抜粋）：
電気抵抗が0.5Ω・cm以下で、xが2以下の半化学量論的な二酸化チタンからなり、必要により酸化ニオブを含むスパッタリングターゲットの製造方法であって、酸素を含まず、かつ酸素含有化合物を含まない雰囲気でターゲット基材上に、二酸化チタンTiO2、そして必要により酸化ニオブも一緒にプラズマ溶射する工程と、半化学量論的二酸化チタンが酸素と結合しない条件で冷却され凝固してなるTiOxでターゲット基材を被覆する工程を含むスパッタリングターゲットの製造方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34
, C23C 4/10
, C23C 14/08
C23C 14/34 A
, C23C 4/10
, C23C 14/08 E
