特許
J-GLOBAL ID：200903085700141544

パタ-ン形成方法

発明者：
浅野 昌史

浅野 昌史 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-001907
公開番号（公開出願番号）：特開2000-199953
出願日： 1999年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：
【要約】【課題】 通常のレジストを用いるにも拘わらず、レジストパターンの解像度を2倍に向上させる。【解決手段】 レジストパターン形成方法において、Siウェハ10上に形成された反射防止膜11上にレジスト膜12を形成した後、L/Sパターンの露光用マスク14を用いてレジスト膜12に所望パターンを露光し、次いでレジスト膜12を該膜12がポジパターンを得るようなアルカリ現像液を用いて現像し、次いでレジスト膜12を該膜12がネガパターンを得るような有機溶剤を用いて現像することにより、レジスト膜12の中間露光量領域のみを残し、マスクパターンの半ピッチのL/Sパターンを形成する。
請求項（抜粋）：
被処理基板上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に所望パターンを露光する工程と、前記レジスト膜を該レジスト膜がポジパターンを得るような第1の現像液を用いて現像する工程と、前記レジスト膜を該レジスト膜がネガパターンを得るような第2の現像液を用いて現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
IPC (2件)：
G03F 7/004 515 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F 7/004 515 ,  H01L 21/30 514 C ,  H01L 21/30 569 F ,  H01L 21/30 573
Fターム (30件)：
2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC07 ,  2H025AD07 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025DA18 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H025FA16 ,  2H025FA39 ,  2H025FA41 ,  5F046AA02 ,  5F046AA07 ,  5F046AA08 ,  5F046AA09 ,  5F046AA10 ,  5F046BA08 ,  5F046EA02 ,  5F046LA00
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM