有機金属気相成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-287726
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135138
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】従来の気相成長装置では、フローチャネルを交換する度にリアクタを大気に曝さねばならず、リアクタ内に酸素、水素等の不純物が付着することになる。また、洗浄し乾燥したフローチャネルの壁面にも酸素、水素の不純物が多量に付着しており、フローチャネル交換後は、リアクタ内に多量の不純物が存在している。このため、フローチャネル交換後においても交換直後数回の気相成長はリアクタ内の残留不純物が混入し、成長させる結晶品質に悪影響を及ぼしていた。【解決手段】基板上に化合物半導体を気相成長させるリアクタ1と、前記リアクタ内に原料ガスの通り道となるフローチャネル6、7を備え、前記リアクタ1に接続し、前記フローチャネルの交換を行うフローチャネル交換室2を備え、前記フローチャネル交換室2は、前記リアクタ1と前記フローチャネル交換室2との間で気密状態でフローチャネル7を搬入出でき、フローチャネル交換室2と外部との間で搬入出する際にはフローチャネル交換室2とリアクタ1とを隔離できる構造とすることで上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

フローチャネル内で、基板上に化合物半導体を気相成長を行うための気密封止できるリアクタと、前記リアクタに接続され、前記フローチャネル交換を行うための気密封止できるフローチャネル交換室と、前記フローチャネル交換室と前記リアクタとの間に開閉自在の遮断手段と、前記リアクタと前記フローチャネル交換室との間を前記遮断手段を開閉して前記フローチャネルを搬入出する搬入出手段を備えたことを特徴とする有機金属気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/08

FI (2件)：

H01L 21/205 , C30B 25/08

引用特許：

審査官引用 (10件)

気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-300211 出願人：富士電機株式会社
特開平1-145806
特開昭63-299115

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