プラズマスクリーンセルの制御のための電力出力回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-177940
公開番号（公開出願番号）：特開平11-143427
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】【課題】充電トランジスタに対して必要とされる表面を減らし、入力信号の状態切換で充電及び放電トランジスタの同時伝導を避けることを可能にするプラズマスクリーンセルの制御のための電力出力回路を提供する。【解決手段】低電圧論理入力信号を受信する入力と、高電圧出力制御信号を出力する出力と、充電トランジスタ及び放電トランジスタを含む出力回路と、制御信号を出力する制御手段とを含む電力出力回路において、充電及び放電トランジスタがNチャネルVDMOS型であり、充電トランジスタがコンパウンドP型トランジスタを形成するように配置され、制御手段は、論理入力信号が出力の放電を制御する際に、充電トランジスタの制御ゲートの電位が出力電位よりも急激にドロップするように配置されるものである。

請求項（抜粋）：

低電圧論理入力信号(IN2)を受信する入力(32)と、高電圧出力制御信号(OUT2)を出力する出力(34)と、一方で、ドレインで高電圧電位(VPP)を受信し且つ前記制御出力(34)に接続されたソースを有する充電トランジスタ(38)、及び、他方で、ソースでリファレンス電位(GND)を受信し且つ出力(34)に接続されたドレインを有する放電トランジスタ(40)を含む出力回路(36)と、前記論理入力信号に従ってこれらトランジスタを制御する充電及び放電トランジスタに制御信号(PCDE、NCDE)を出力する制御手段(42、44、46、52、58)とを含むプラズマスクリーンセルの制御のための電力出力回路(30)において、前記充電及び放電トランジスタ(38、40)がNチャネルVDMOS型であり、前記充電トランジスタ(38)がコンパウンドP型トランジスタを形成するように配置されており、前記制御手段は、前記論理入力信号が前記出力の放電を制御する際に、前記充電トランジスタの前記制御ゲートの電位が出力電位よりも急激にドロップするように配置されることを特徴とする回路。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-119824
パルス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-213647 出願人：日本電気株式会社
特開平4-181809

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審査官引用 (3件)

特開平3-119824
特開平3-119824
パルス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-213647 出願人：日本電気株式会社

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