特許
J-GLOBAL ID：200903085755672778
半導体レーザ及び半導体層の酸化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281376
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102691
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【目的】 高温低駆動電流で動作する半導体レーザ、及び、均一性及び再現性の高い半導体レーザの電流狭窄構造を形成させる簡単な半導体層の酸化方法を提供する。【解決手段】 Alを含む半導体層の酸化を用いた半導体レーザの電流ブロック層の作製工程は、Alを含む超格子構造の選択的な不純物拡散により超格子層を無秩序化して、無秩序化するか否かで酸化速度に差異を与える。次に、Alを含む超格子構造を高温高湿度雰囲気中にさらせば、酸化速度に従った選択的な酸化制御が容易にできる。製造された半導体レーザは、Alを含む超格子構造が酸化するか否かで抵抗値に大小が生じるので、電流狭窄構造を有して高温低駆動電流で動作すると共に酸化の制御性、再現性を高め高均一高歩留まりが実現可能である。
請求項（抜粋）：
レーザ発光を行う活性層と、該活性層に向けて電流を流す電流経路領域と前記活性層以外の部分に流す電流を制限する電流制限領域である電流ブロック層とを備える半導体レーザにおいて、前記電流ブロック層が、アルミニウムを含む第1の半導体層と、アルミニウムを含まない第2の半導体層とから成る超格子構造を形成し、該超格子構造の一部を不純物拡散によって選択的に無秩序化し、該無秩序化された領域を前記電流経路領域としたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F073AA22
, 5F073AA51
, 5F073AA71
, 5F073BA02
, 5F073BA06
, 5F073CA12
, 5F073DA15
, 5F073DA27
, 5F073EA23
