特許

J-GLOBAL ID：200903085777049187

電子サイクロトロン共鳴プラズマ成膜プロセスおよび一重壁カーボンナノチューブのための装置ならびにそれによって得られたナノチューブ

発明者： マルク・ドゥロネ ,  シリル・ヴァニュフェル
出願人/特許権者： コミツサリア タ レネルジー アトミーク
代理人 (8件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-537667
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512247
出願日： 2001年10月26日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

本発明は、無触媒基体上における一重壁カーボンナノチューブの電子サイクロトロン共鳴プラズマによる成膜に関するものであって、磁気ミラーを有した磁気閉込構造を具備しているとともに基体に対向した少なくとも1つの電子サイクロトロン共鳴領域を内部にまたは境界部分に備えている成膜チャンバ内に、マイクロ波パワーを注入し、これにより、成膜チャンバの中央においてかつ磁気ミラー内において、カーボンを含有したガスを、10-3mbar以下の圧力において解離および/またはイオン化させ、生成した種を、加熱した基体上に成膜させる、という方法において、基体表面を、凹凸形状を有したものとする。本発明は、また、得られた一重壁カーボンナノチューブ(SWNT)に関するものである。

請求項（抜粋）：

無触媒基体上において一重壁カーボンナノチューブを電子サイクロトロン共鳴プラズマによって成膜するための方法であって、 磁気ミラーを有した磁気閉込構造を具備しているとともに前記基体に対向した少なくとも1つの電子サイクロトロン共鳴領域を内部にまたは境界部分に備えている成膜チャンバ内に、マイクロ波パワーを注入し、 これにより、前記成膜チャンバの中央においてかつ前記磁気ミラー内において、カーボンを含有したガスを、10-3mbar以下の圧力において解離および/またはイオン化させ、 生成した種を、加熱した前記基体上に成膜させる、 という方法において、 前記基体表面を、凹凸形状を有したものとすることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C01B31/02 ,  C23C16/26

FI (2件)：

C01B31/02 101F ,  C23C16/26

Fターム (23件)：

4G146AA11 ,  4G146AB06 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BC09 ,  4G146BC15 ,  4G146BC18 ,  4G146BC27 ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC38A ,  4G146BC38B ,  4G146DA21 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030FA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030KA30

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-154971
  
• 非晶質シリコン膜の作製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233116   出願人：日本放送協会
• カーボンナノチューブの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-259692   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 東京瓦斯株式会社
• 特開平4-154971
  
• 特開平4-154971