特許
J-GLOBAL ID:200903085806407918

ウエハ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 船橋 國則
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-128141
公開番号(公開出願番号):特開平10-321503
出願日: 1997年05月19日
公開日(公表日): 1998年12月04日
要約:
【要約】【課題】 テスト露光の際の後続ウエハの待機に起因するレジストパターンの寸法変動を防止し、テスト露光から次の露光までの露光機の待機時間を短縮する。【解決手段】 複数枚のウエハのうち、加熱(ベーク)処理、冷却(クーリング)処理、ウエハ上へのレジスト膜の形成(レジストコート)処理を行った1枚のウエハをテスト露光し現像してレジストパターンを得た後、レジストパターンの寸法を測定し、測定結果から露光条件を決定してこの露光条件に基づきテスト露光を行ったウエハの後続のウエハを露光し、現像処理するウエハ処理方法において、テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、後続のウエハをレジストコート処理前の状態で待機させ、上記した露光条件の決定後、待機させている後続のウエハ上へのレジストコート処理、露光、現像処理を行うようにする。
請求項(抜粋):
複数枚のウエハのそれぞれに対して、加熱処理、冷却処理、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理、該レジスト膜の露光、現像処理をこの順に施す工程を有し、前記複数枚のウエハのうち、前記加熱処理、冷却処理、ウエハ上へのレジスト膜の形成処理を行った1枚のウエハをテスト露光し現像してレジストパターンを得た後、該レジストパターンの寸法を測定し、この測定結果から露光条件を決定して該露光条件に基づきテスト露光を行ったウエハの後続のウエハを露光し、現像処理するウエハ処理方法において、前記テスト露光、現像およびレジストパターンの寸法測定の際には、前記後続のウエハを前記レジスト膜の形成処理前の状態で待機させ、前記露光条件の決定後、待機させている後続のウエハ上へのレジスト膜の形成処理、露光、現像処理を行うことを特徴とするウエハ処理方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/02
FI (5件):
H01L 21/30 502 G ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/30 502 J
引用特許:
審査官引用 (5件)
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