メモリ装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-249378
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115595
出願日： 1994年10月14日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】データ読み出し時の高速アクセス化及びピーク電流の低減化を図る。【構成】リードサイクルでは、最初に第2のセンスアンプ駆動手段4-B が作動して、複数のセンスアンプ3-1 ...が共通の駆動線SAP,SAN を介して比較的小電位差((VCC-Vtn)-(Vss+Vtp))で駆動される。従って、近端側のビット線対BL1 は早期に小電位差((VCC-Vtn)-(Vss+Vtp))近傍に増幅されて、駆動線の近端側の電位差は早期に前記小電位差((VCC-Vtn)-(Vss+Vtp))になるので、遠端側のセンスアンプ3-2 の増幅開始時期が早まって、遠端側のビット線対BL2 の開きが十分なレベル((VCC-Vtn)-(Vss+Vtp))になるまでの増幅時間が短縮され、データアクセスの高速化が得られる。その後は、第1のセンスアンプ駆動手段4-A が作動して複数のセンスアンプ3-1 ...が大電位差(Vcc-Vss) で駆動され、センス動作が2段階で行われるので、センス時のピーク電流が低減される。

請求項（抜粋）：

行及び列方向に配置された多数のメモリセル内の行データを選択するためのローデコーダと、前記各メモリセルに接続されて列方向に延びる複数のビット線対の電位を増幅するための複数のセンスアンプと、前記複数のセンスアンプをこれ等のセンスアンプで共用する駆動線を介して第1の設定電位差で駆動する第1のセンスアンプ駆動手段と、前記複数のセンスアンプを前記駆動線を介して第2の設定電位差で駆動する第2のセンスアンプ駆動手段とを備えたことを特徴とするメモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-190925 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
特開平3-269896
特開平3-269895

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