特許

J-GLOBAL ID：200903085842548170

アーク式イオンプレーティング装置

発明者： 岡崎 尚登 ,  入澤 一彦 ,  中村 信彦 ,  飛川 和紀 ,  大谷 聡
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 山本 惠二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-192239
公開番号（公開出願番号）：特開2003-003252
出願日： 2001年06月26日
公開日（公表日）： 2003年01月08日
要約：

【要約】【課題】 基体に対する冷却性能を高めて、成膜時の基体の温度上昇による劣化等を防止する。【解決手段】 このアーク式イオンプレーティング装置は、回転軸4aの真空容器2内側の端部に取り付けられていて、回転軸4aの冷媒流路6よりも広い面積の冷媒流路36を内部に有しており、かつ回転軸4aの冷媒流路6との間で冷媒16の受け渡しが行われる冷却器34を備えている。そしてこの冷却器34に、成膜しようとする基体20を保持する回転テーブル18を取り付けている。

請求項（抜粋）：

真空に排気される真空容器と、この真空容器を貫通するものであって内部に往復の冷媒流路を有する回転軸と、前記真空容器外に設けられていて前記回転軸を回転させる回転駆動装置と、前記真空容器外に設けられていて前記回転軸との間で冷媒の受け渡しを行うロータリーフィード装置と、前記回転軸の真空容器内側の端部に取り付けられていて、前記回転軸の冷媒流路よりも広い面積の冷媒流路を内部に有しており、かつ前記回転軸の冷媒流路との間で冷媒の受け渡しが行われる冷却器と、この冷却器の上部に取り付けられていて成膜しようとする基体を保持する回転テーブルと、真空アーク放電によって陰極を蒸発させて前記基体に成膜を行うアーク式蒸発源とを備えることを特徴とするアーク式イオンプレーティング装置。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/32

FI (2件)：

C23C 14/24 F ,  C23C 14/32 Z

Fターム (6件)：

4K029AA01 ,  4K029CA03 ,  4K029DD06 ,  4K029EA08 ,  4K029JA00 ,  4K029JA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-244334   出願人：日新電機株式会社
• イオンビーム加工装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243396   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭63-062875
  
• 特開昭63-062875