半田バンプの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-314175
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153497
出願日： 1995年12月01日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】半導体素子を基板上にフリップチップ実装するために、半導体素子の突起電極上に設ける半田バンプの形成方法に関し、金の突起電極に対して、スズを含有する半田材料を用いても、金-スズ間の金属間化合物の生成を防止する。【解決手段】半導体素子1に予め形成した金の突起電極2上に、スズを含有しない合金からなる低融点クリーム半田4を転写する。そして低融点クリーム半田4より融点が高く、かつスズを含有する共晶クリーム半田6を、低融点クリーム半田4上に転写する。これをリフロー処理することにより、半田バンプを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子に予め形成された金の突起電極の表面を、スズを含有しない合金からなる第1の半田材料にて被覆する工程と、前記第1の半田材料より融点が高く、かつスズを含有する第2の半田材料にて、前記第1の半田材料のの表面を被覆する工程と、これらをリフロー処理することにより半田バンプを得る工程とからなる半田バンプの形成方法。

FI (3件)：

H01L 21/92 602 B , H01L 21/92 603 B , H01L 21/92 604 D

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭54-160166
はんだバンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-102022 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-306634

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審査官引用 (5件)

特開昭54-160166
はんだバンプの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-102022 出願人：ソニー株式会社
特開昭63-306634

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