薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-242336
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097197
出願日： 1992年09月10日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極とソース電極との間およびゲート電極とドレイン電極との間でリークが少ない、信頼性の高いTFTを得る。【構成】基板1に形成された溝2内に、ゲート電極4および陽極酸化膜5が形成され、陽極酸化膜5の上表面と基板1とが同一面となっている。このことにより、その上に形成されるゲート絶縁膜6およびアモルファスSi膜7を段差の無い平坦な状態で形成することができる。このため、その後の工程でエッチングを行う際に、段差部分でエッチレートが速くなってゲート絶縁膜6に穴が開く虞れがない。よって、TFTのリークを防止することができる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板に設けられた溝内に、溝の深さ寸法よりも短い厚み寸法で形成されたゲート電極と、該ゲート電極の上に、基板とほぼ面一に形成された陽極酸化膜と、該陽極酸化膜および基板の上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に、該ゲート電極と対向する状態で形成された半導体層と、該半導体層上で分断して形成されたソース電極およびドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平2-271637
特開平1-170048
特開昭61-255068

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