特許

J-GLOBAL ID：200903085929052391

エッチング液を用いたPZT系薄膜の洗浄方法

発明者： 李 俊 冀 ,  金 昌 ▲じゅん▼ ,  鄭 一 燮
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 小野 由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-193091
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133643
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】PZT系薄膜に生じる2次相や蝕刻損失相の除去。【解決手段】 HFと酢酸との混合エッチング液にPZT系薄膜を浸漬し、PZT系薄膜の表面をエッチングする。"HF(或いはBOE)+酢酸"の組合せ、または"HF(或いはBOE)+酢酸+アルコール(或いは極性溶剤)"の組合せをエッチング液として用いる。HFの濃度に依存するPZT系薄膜のエッチング速度を落すことにより、PZT系薄膜を100Å以下の細かい膜厚まで限定してエッチングでき、PZT系薄膜の表面の2次相結晶あるいは蝕刻損傷層だけ除去できる。従って、該特性が損傷していないPZT系薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

HFと酢酸との混合エッチング液にPZT系薄膜を浸漬し、前記PZT系薄膜の表面をエッチングする段階を含む、エッチング液を用いたPZT系薄膜の洗浄方法。

IPC (6件)：

H01L 21/308 ,  C09K 13/08 ,  C23F 1/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/308 E ,  C09K 13/08 ,  C23F 1/30 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-260828
  
• 誘電体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-060515   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-026608   出願人：三菱瓦斯化学株式会社, 三菱電機株式会社