半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-035364
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264199
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】結晶性珪素膜を用いた、特性、信頼性、歩留りに優れた半導体装置を作製するにあたって、基板材料に影響を与えない条件のもとでゲイト絶縁膜を形成する。【解決手段】基板上にプラズマCVD法により下地膜を形成し、その下地膜上に島状の結晶性珪素膜を形成し、上記基板をその歪み点以下の温度で加熱した状態で上記島状の結晶性珪素膜を酸化雰囲気中で熱アニールした後、上記島状の結晶性珪素膜上にプラズマCVD法によりゲイト絶縁膜を形成し、そのゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。また、上記熱アニールすることによって上記島状の結晶性珪素膜の表面に熱酸化膜が形成され、上記ゲイト絶縁膜はその熱酸化膜上に形成される。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にプラズマCVD法により下地膜を形成し、前記下地膜上に島状の結晶性珪素膜を形成し、前記ガラス基板をその歪み点以下の温度で加熱した状態で前記島状の結晶性珪素膜を酸化雰囲気中で熱アニールした後、前記島状の結晶性珪素膜上にプラズマCVD法によりゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/316 , H01L 21/8238 , H01L 27/08 331 , H01L 27/092 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/20 , H01L 21/316 S , H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 626 C , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 617 U

Fターム (77件)：

5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BC16 , 5F048BF01 , 5F048BF02 , 5F048DA22 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA15 , 5F052FA06 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F058BA04 , 5F058BD04 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF80 , 5F058BJ04 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB10 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD25 , 5F110EE03 , 5F110EE06 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HL01 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP23 , 5F110PP29 , 5F110PP31 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-043642
特開平4-043642
特開昭63-316479

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