特許
J-GLOBAL ID：200903085955395035
n型窒化物半導体層の電極
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157256
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008351
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 n型窒化物半導体層と好ましいオーミック接触が得られ、さらにワイヤーとも強固に接着できる安定な変質しにくい電極を提供する。【構成】 n型窒化物半導体層に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がインジウム又はスズよりなり、その上にチタン及び/又は金を積層した少なくとも二層構造を有するか、またはn型窒化物半導体層と接する側がチタンよりなり、その上にクロムおよび/またはニオブを積層した少なくとも二層構造を有する。
請求項（抜粋）：
n型窒化物半導体層に形成されるオーミック電極であって、前記電極はn型窒化物半導体層と接する側がインジウム又はスズよりなり、その上にチタン及び/又は金を積層した少なくとも二層構造を有することを特徴とするn型窒化物半導体層の電極。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
