特許
J-GLOBAL ID：200903085977956839

半導体装置及びその製造方法

発明者：
中野 高宏

中野 高宏 について

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佐原 隆一

佐原 隆一 について

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藤作 実

藤作 実 について

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楢岡 浩喜

楢岡 浩喜 について

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渡瀬 和美

渡瀬 和美 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-370937
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207267
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】高い生産性を有し、かつ薄型化された半導体装置を提供する。【解決手段】複数個の電極部2が表面に配置された半導体素子1と、各電極部2がそれぞれ露出するように複数の開口が形成されたパッシベーション膜3と、パッシベーション膜3上に形成され、複数の第1開口部6が形成された第1の樹脂層5と、第1の樹脂層5上に形成された複数個の金属配線7と、第1の樹脂層5上に形成され、複数の第2開口部10がマトリックス状に形成された第2の樹脂層9と、第2の樹脂層9上に形成された複数個の外部電極端子とを備える。半導体素子1の裏面に形成された金属膜22を備え、金属膜22に生じる第1の内部応力と、第1の樹脂層5、第2の樹脂層9、又は金属配線7に生じる第2の内部応力とのバランスが調節されていることで、第2の内部応力による半導体素子1の反りが防止されていることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数個の電極部が表面に配置された半導体素子が複数個集合して形成されたウエハであって、各半導体素子の表面と各電極部とを覆うように形成され、かつ各電極部がそれぞれ露出するように複数の開口が形成されたパッシベーション膜によって表面が覆われたウエハを準備するウエハ準備工程と、 前記パッシベーション膜上に第1の樹脂層を形成し、前記第1の樹脂層に複数の第1開口部を各電極部が各開口においてそれぞれ露出するように形成する第1の樹脂層形成工程と、 各半導体素子ごとに、前記第1の樹脂層上に複数個の金属配線を各金属配線が各第1開口部を通って各電極部と接続するように形成する金属配線形成工程と、 前記第1の樹脂層上に各金属配線を覆うように第2の樹脂層を形成し、各半導体素子ごとに、前記第2の樹脂層に複数の第2開口部を各金属配線の各電極部と反対側の一端が露出するようにマトリックス状に形成する第2の樹脂層形成工程と、 各半導体素子ごとに、前記第2の樹脂層上に複数個の外部電極端子を各外部電極端子が各第2開口部を通って各金属配線の各電極部と反対側の一端と接続するように形成する外部電極端子形成工程と、 前記外部電極端子形成工程の後で、ダイシングにより各半導体素子ごとに前記ウエハを分離する分離工程とを含む半導体装置の製造方法であって、 前記ウェハ準備工程の後で、前記ウエハの裏面に金属膜を形成する工程をさらに含んでおり、前記金属膜を形成する際の条件を調整し、前記金属膜に生じる第1の内部応力と、前記第1の樹脂層、前記第2の樹脂層、又は前記金属配線に生じる第2の内部応力との間のバランスを調節することで、前記第2の内部応力によって前記ウエハに生じる反り及び各半導体素子に生じる反りを防止したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31
FI (5件)：
H01L23/12 501P ,  H01L21/56 R ,  H01L21/88 T ,  H01L21/92 602L ,  H01L23/30 B
Fターム (23件)：
4M109AA02 ,  4M109BA07 ,  4M109CA10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH14 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK09 ,  5F033MM30 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR21 ,  5F033RR27 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX19 ,  5F061AA02 ,  5F061BA07 ,  5F061CA10 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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