半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-302767
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244243
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】基板の表面に基板材と異なる材料を絶縁材として用いた配線層を有する基板上にLSIを実装したときに、基板が温度変化を受けてもピンまたは半田ボ-ル等の接続部材の損傷が低減される構造を提供する。【構成】薄膜配線層3を有する基板2上に、あるいは直接基板2上に、LSI1を半田ボ-ルまたはピン4を用いて実装する。このLSI1上にLSIチップと熱膨張係数の異なる材料からなる変形整合層6を形成する。【効果】半導体装置を実装した後の常温時、または稼働時の温度においても、変形整合層によりLSIチップに基板と同等の反り変形を生じさせるので、半田ボ-ル等の接続部材の損傷を低減できる。

請求項（抜粋）：

発熱半導体素子と、この発熱半導体素子を搭載した基板と、この基板の表面に形成され基板と異なる材料を絶縁体とする配線層と、前記発熱半導体素子と前記基板とを電気的に接続する接続素子とを備えた半導体装置において、前記発熱半導体素子の前記基板に対向する面の反対面に、前記発熱半導体素子と異なる熱膨張係数を有する材料の層を設けたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭63-004635
特開昭61-208838
特開平4-029337

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