半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-007024
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203833
出願日： 1995年01月20日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜の開口部に自己整合的にファセットの無い単結晶層を形成する。【構成】基板1上に絶縁膜2を形成後、開口部3を設ける(a)。多結晶粒5の非堆積領域Lが存在するように、エッチングガスを含まない原料ガスを供給する。その際、成長温度を上げ、成長圧力を下げてエピタキシャル成長を行い、単結晶層4を形成する(b)。単結晶層4を覆うように、非堆積領域L内にレジスト7を形成し、レジストをマスクに多結晶粒を除去する(c)。最後に、レジストを除去する(d)。【効果】多結晶粒の非堆積領域Lが存在するため、レジストをマスクに多結晶粒をエッチング除去しても、レジスト直下の絶縁膜上には多結晶粒が残らない。

請求項（抜粋）：

単結晶基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に開口部を形成する工程と、エッチングガスを含まない原料ガスを供給して開口部に単結晶層をエピタキシャル成長により形成する工程と、開口部の単結晶層及び開口部周辺の多結晶粒堆積開始距離内の絶縁膜を覆うようにマスク合わせを用いてレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクにエピタキシャル成長時に絶縁膜上に形成された多結晶粒をエッチング除去する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C30B 25/02 , C30B 25/14 , H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭61-222114
特開平2-082614
特開平2-083943

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