特許
J-GLOBAL ID：200903085992840499

半導体装置の試験方法および試験装置

発明者：
斉藤 泰伸

斉藤 泰伸 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086842
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272433
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 通電試験中の半導体装置の温度を精度よく測定できる半導体装置の試験方法および試験装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置にバイアス電圧を印加するバイアス電源と、前記半導体装置を加熱するヒータとを設け、半導体装置の温度を測定するために、温度によって抵抗値が変化する金属線24をゲート電極23と平行に設けている。
請求項（抜粋）：
半導体装置の各電極にバイアス電圧を印加し、前記半導体装置を加熱した状態で、前記半導体装置内に設けた温度によって抵抗値が変化する金属線の抵抗値を測定し、前記半導体装置の温度を測定することを特徴とする半導体装置の試験方法。
Fターム (8件)：
2G003AA02 ,  2G003AB15 ,  2G003AB16 ,  2G003AC03 ,  2G003AD03 ,  2G003AD07 ,  2G003AE01 ,  2G003AH05
引用特許：
審査官引用 (2件)

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