特許
J-GLOBAL ID：200903009838293584

可視光応答性の膜状多孔質半導体光電極

発明者：
佐山 和弘

佐山 和弘 について

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荒川 裕則

荒川 裕則 について

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阿部 竜

阿部 竜 について

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鄒 志剛

鄒 志剛 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 池浦 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-280421
公開番号（公開出願番号）：特開2005-044758
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】特定の半導体光電極と対極を組み合わせた光電気化学システムにおいて、該半導体の価電子準位を制御することで可視光応答性を持たせながら、伝導帯の準位が正に大きくなることを防ぎ、且つ多孔質構造の膜状半導体光電極を用いることで電荷の拡散距離を小さくし、太陽エネルギー変換効率を大きく向上させる技術を提供する。【解決手段】エネルギー蓄積型反応を行う光電気化学セルにおいて用いられる膜状半導体光電極であって、可視光応答性の多孔質構造の複合金属酸化物系半導体からなり、2種類以上の金属元素から構成され、その金属元素の少なくとも1つはビスマス、銀、銅、スズ、鉛、バナジウム、インジウム、プラセオジム、クロム及びニッケルの中から選ばれることを特徴とする膜状多孔質半導体光電極。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
エネルギー蓄積型反応を行う光電気化学セルにおいて用いられる膜状半導体光電極であって、可視光応答性の多孔質構造の複合金属酸化物系半導体からなり、2種類以上の金属元素から構成され、その金属元素の少なくとも1つはビスマス、銀、銅、スズ、鉛、バナジウム、インジウム、プラセオジム、クロム及びニッケルの中から選ばれることを特徴とする膜状多孔質半導体光電極。
IPC (2件)：
H01M14/00 ,  H01L31/04
FI (2件)：
H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z
Fターム (8件)：
5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032HH01 ,  5H032HH04
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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