高速動作と低消費電力動作とを実現したMOSトランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土井健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074751
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267559
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】簡単な構成により、MOSトランジスタを低い閾値電圧で高速動作可能にしたり、高い閾値電圧で低消費電力動作可能にしたり設定することができる。【解決手段】半導体基板表面に形成されたMOSトランジスタにおいて、半導体基板表面に形成されたソース、ドレイン領域Sn,Dnと、ソース及びドレイン領域間であって半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートFGnと、フローティングゲートに絶縁膜を介して設けられた入力ゲートGn1と閾値制御ゲートGn2とを有する。そして、活性化状態は、閾値制御ゲートGn2に第1の電圧が印加されて入力ゲートに対して第1の閾値電圧にされ、非活性化状態は、閾値制御ゲートGn2に第2の電圧が印加されて入力ゲートに対して第1の閾値電圧よりも高い第2の閾値電圧にされることを特徴とする。この構成によれば、MOSトランジスタを2層ゲート構造にして、閾値制御ゲートに制御電圧を印加することにより、その閾値電圧を制御することができる。従って、比較的簡単な構成で、高速動作と低消費電力動作とに切り替え設定することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成されたMOSトランジスタにおいて、前記半導体基板表面に形成されたソース、ドレイン領域と、前記ソース及びドレイン領域間であって前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、前記フローティングゲートに絶縁膜を介して設けられた入力ゲートと閾値制御ゲートとを有し、活性化状態は、前記閾値制御ゲートに第1の電圧が印加されて前記入力ゲートに対して第1の閾値電圧にされ、非活性化状態は、前記閾値制御ゲートに第2の電圧が印加されて前記入力ゲートに対して前記第1の閾値電圧よりも高い第2の閾値電圧にされることを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 321 D , H01L 29/78 301 C , H01L 29/78 301 J

Fターム (15件)：

5F040DA01 , 5F040DA02 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EB03 , 5F040EB11 , 5F040EC22 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AB04 , 5F048AC02 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB02 , 5F048BB14

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-176894 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体発振回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-059206 出願人：株式会社リコー
特開平3-006679

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審査官引用 (4件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-176894 出願人：セイコー電子工業株式会社
半導体発振回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-059206 出願人：株式会社リコー
特開平3-006679

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