特許
J-GLOBAL ID：200903086038771830

トンネル障壁を有し無機マトリックス内に埋め込まれた複数の量子ドットを備える中間バンド感光性装置

発明者：
フォレスト,スティーブン,アール.

フォレスト,スティーブン,アール. について


出願人/特許権者：
ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニヴァシティ

ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニヴァシティ について


代理人 (1件)： 八田国際特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-545675
公開番号（公開出願番号）：特表2009-520357
出願日： 2006年12月07日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
複数の量子ドットは第1の無機材料を有しており、各量子ドットは第2の無機材料で被覆されている。被覆されたドットは、第3の無機材料のマトリックスに埋め込まれている。少なくとも前記第1および前記第3の無機材料は光伝導性半導体である。第3の材料におけるトンネルバリアの基部におけるキャリア(電子または正孔)が各々の被覆された量子ドット内部の第1の材料に到達するためには量子力学的なトンネリングを必要とするように、前記第2の材料がトンネル障壁として配置されている。各量子ドットにおける第1量子状態は、被覆された量子ドットが埋め込まれている第3の材料での伝導帯端と価電子帯端との間に位置している。複数の量子ドットについての第1量子状態での複数の波動関数は中間バンドとして重なりあっている。
請求項（抜粋）：
第1の無機材料を有する複数の量子ドットであって、各量子ドットは第2の無機材料で被覆されており、前記被覆されたドットが第3の無機材料のマトリックスに埋め込まれており、少なくとも前記第1および前記第3の無機材料は光伝導性半導体であること、 前記第3の材料の伝導帯端における電子が前記被覆された各量子ドット内部の前記第1の材料に到達するためには量子力学的なトンネリングを必要とするように、前記第2の材料がトンネル障壁として配置されていること、および 前記各量子ドットでのバンドギャップより上位にある第1量子状態は、被覆された量子ドットが埋め込まれている前記第3の材料での伝導帯端と価電子帯端との間に位置しており、前記複数の量子ドットについての前記第1量子状態での複数の波動関数が中間バンドとして重なりあっていること、を含む装置。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (5件)：
5F051AA08 ,  5F051AA09 ,  5F051CB08 ,  5F051DA19 ,  5F051DA20
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 太陽電池
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-149364   出願人：トヨタ自動車株式会社
  • 太陽電池およびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334752   出願人：シャープ株式会社
  • 人工アモルファス半導体および太陽電池への適用
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-509832   出願人：ニューサウス・イノヴェイションズ・ピーティーワイ・リミテッド
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