特許

J-GLOBAL ID：200903086063407647

半導体集積回路

発明者： 樋口 潤 ,  清水 健
出願人/特許権者： 日本ビクター株式会社
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-049334
公開番号（公開出願番号）：特開2005-243772
出願日： 2004年02月25日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：

【課題】 チップ面積を増やすことなく耐圧を確保したオープンドレインを持つ半導体集積回路を提供する。【解決手段】 くし型に入り組んだソース12・ドレイン14とソース・ドレインがLDD16によって囲まれている構造を持つトランジスタを有する半導体集積回路において、ソースの一部をウエルコンタクト20に置き換えた構造を有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

くし型に入り組んだソース・ドレインと前記ソース・ドレインがLDDによって囲まれている構造を持つトランジスタを有する半導体集積回路において、前記ソースの一部をウエルコンタクトに置き換えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

FI (4件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/78 301W ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 102D

Fターム (20件)：

5F048AA03 ,  5F048AA05 ,  5F048AB07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB02 ,  5F048BC02 ,  5F048BC06 ,  5F048BE09 ,  5F048BF18 ,  5F140AA17 ,  5F140AA25 ,  5F140AB01 ,  5F140BF47 ,  5F140BF53 ,  5F140BH03 ,  5F140BH15 ,  5F140BH43 ,  5F140BJ28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-165808   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-159151   出願人：セイコーエプソン株式会社
• MOSトランジスタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-039223   出願人：日本ビクター株式会社
• 特開昭63-077155