特許
J-GLOBAL ID：200903086068540116
露光用マスク、露光装置、及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263665
公開番号（公開出願番号）：特開2001-092105
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 バックグラウンド光強度を低下させ、被転写パターンの光強度コントラスト低下を抑制する。【解決手段】 露光用マスクに形成された被転写パターンを投影光学系によりウェハ上に転写してレジストパターンを形成する露光装置において、露光用マスクは、被転写パターン11としてのL/Sパターン(150nm/150nm)に対し、該パターン11の光強度分布に影響を与えない距離を隔てて開口部12に、該パターン11を所望寸法で形成するための露光条件ではウェハ上にレジストパターンとして形成されない、ダミーパターン13としてのL/Sパターン(100nm/40nm)が配置されている。
請求項（抜粋）：
光リソグラフィー工程において使用される露光用マスクであって、ウェハ上に転写すべき被転写パターンと共に、該パターンの光強度分布に影響を与えない距離を隔てて、該パターンを所望寸法で形成するための露光条件ではウェハ上にレジストパターンとして形成されないダミーパターンが配置されていることを特徴とする露光用マスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 D
, H01L 21/30 502 P
2H095BA02
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 2H095BB36
