半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：菅野中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327512
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186068
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】フォトレジスト膜の現像後の熱処理に伴う収縮に起因するパターンの変形、及びパターン端部での下地基板との密着性低下を防ぎ、パターン転写性の良いレジストパターンを得る。【構成】フォトレジストの露光に用いるマスク上で、本パターンに隣接して解像限界以下の寸法からなるダミーパターンを設けて、レジスト膜上で目的とする開口パターンに近接して底部にレジストが残ったダミーパターンを形成する。【効果】フォトレジスト膜の収縮時にダミーパターン部のみが変形することにより、本パターン端部での引っ張り応力を軽減し、パターンの変形及びパターン端部での下地基板との密着性低下を防ぐ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けたレジスト膜にマスクを用いて素子用の開口パターンを露光形成する半導体装置の製造方法であって、前記レジスト膜に素子用の開口パターンを露光形成する際に、該レジスト膜に、底部にレジストが残っているダミーパターンを形成するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 1/16

FI (2件)：

H01L 21/30 514 C , H01L 21/30 516 D

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-271498 出願人：富士通株式会社
特開平3-089346
特開平3-089530

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