特許

J-GLOBAL ID：200903086070207181

窒化物系半導体素子

発明者： 畑 雅幸 ,  林 伸彦 ,  冨永 浩司 ,  野村 康彦 ,  國里 竜也 ,  大保 広樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239326
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051612
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】素子形成領域の窒化物系半導体層にクラックが発生するのを有効に防止するとともに、基板の反りを低減することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体素子は、サファイア基板1上の所定領域に形成され、所定の厚みを有するGaN層3を含むとともに、素子が形成される素子形成領域6と、サファイア基板1上の素子形成領域6以外の領域に形成され、GaN層3が形成されないかまたは薄い厚みで形成される素子不形成領域7とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上の所定領域に形成され、所定の厚みを有する第1窒化物系半導体層を含む素子が形成される第1領域と、前記基板上の前記第1領域以外の領域に形成され、前記第1窒化物系半導体層が前記第1領域における厚みよりも小さい厚みで設けられた第2領域とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

Fターム (16件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365725   出願人：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-170822   出願人：シャープ株式会社