特許
J-GLOBAL ID：200903029605343000
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-170822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017272
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 一回の成長にて電流狭窄型窒化ガリウム系化合物半導体レーザの作成を可能とし、従来技術の絶縁体膜の形成及び再成長技術を必要としない素子構造を提供する。【解決手段】 所望領域が凹凸状に加工された基板と、該基板上方に形成されたノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記基板の凹凸状加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率と前記基板の凹凸状非加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率とが異なってなることによって上記課題を解決するものである。
請求項（抜粋）：
所望領域が凹凸状に加工された基板と、該基板上方に形成されたノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層を備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記基板の凹凸状加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率と前記基板の凹凸状非加工領域上方の前記ノンドープ窒化ガリウム系化合物半導体層の抵抗率とが異なってなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
引用特許：
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