ウェハ研磨方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-071722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260318
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】ウェハ研磨方法に関し、半導体ウェハ全面にわたって均一に凹凸がなくなるように研磨し、且つ、片削れの発生を抑制する。【解決手段】互いに硬度の異なるバッキングパッド2,3を組み合わせて、ウェハを押圧するようにして、研磨布でウェハを研磨する。

請求項（抜粋）：

研磨布を用いてウェハを研磨するウェハ研磨方法において、互いに硬度の異なるバッキングパッドを組み合わせて、前記ウェハを押圧するようにしたことを特徴とするウェハ研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 , B24B 37/00 , B24B 37/04

FI (3件)：

H01L 21/304 321 M , B24B 37/00 F , B24B 37/04 E

引用特許：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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