高密着性炭素皮膜形成材及びその製法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小谷悦司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-257298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-087218
出願日： 1998年09月10日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】金属またはセラミックからなる基材の表面に、比較的簡単な装置及び工程で高硬度・低摩耗係数のDLC膜を密着性よく形成し、摺動部材等として耐久寿命の著しく改善された硬質皮膜形成材を提供すること。【解決手段】金属またはセラミックからなる基材の表面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成すると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成元素と皮膜構成元素とからなる厚さ10〜500Åの混合層を形成し、高密着性非晶質炭素皮膜形成材を得る。

請求項（抜粋）：

金属またはセラミックからなる基材の表面に、カーボンターゲットを用いてカソード放電型アークイオンプレーティング法により非晶質炭素膜を形成すると共に、該炭素皮膜と基材の界面に、これら基材構成元素と皮膜構成元素とからなる厚さ10〜500Åの混合層を形成することを特徴とする高密着性非晶質炭素皮膜形成材の製法。

IPC (2件)：

C23C 14/06 , C23C 14/32

FI (2件)：

C23C 14/06 F , C23C 14/32 F

Fターム (20件)：

4K029AA02 , 4K029AA04 , 4K029BA02 , 4K029BA07 , 4K029BA09 , 4K029BA11 , 4K029BA16 , 4K029BA17 , 4K029BA34 , 4K029BA35 , 4K029BA55 , 4K029BA64 , 4K029BB02 , 4K029BB10 , 4K029BC00 , 4K029CA03 , 4K029DD06 , 4K029EA01 , 4K029EA03 , 4K029EA09

引用特許：

審査官引用 (2件)

摺動部材、圧縮機及び回転圧縮機
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-174276 出願人：三洋電機株式会社
ブレードの非晶質ダイヤモンドコーティング
公報種別：公表公報出願番号：特願平7-527774 出願人：ザジレットカンパニー

引用文献：

審査官引用 (2件)

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