特許

J-GLOBAL ID：200903086157068790

シリコンウェーハとシリコンエピタキシャルウェーハ並びにその製造方法

発明者： 片浜 久 ,  末岡 浩治 ,  池田 直紀 ,  藤川 孝
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302098
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 OFS-リングがウェーハ内部に存在するか、中央に消滅したウェーハで、かつその転位クラスターの発生を抑制したウェーハの製造方法。【解決手段】 チョクラルスキー法にて結晶引上を行うに際し、ウェーハ中の炭素濃度が1.0×1016cm3(new ASTM)以上となるように炭素を添加し、OSF-リングがウェーハ外周の内部に現れるか中心部で消滅するような低速引上で育成することにより、得られた同一のインゴットより、デバイス用ウェーハ、パーティクルモニター用ウェーハに加えて、エピタキシャル成長用基板を取り出すことができ、インゴットの利用範囲が拡大できるため、容易に製造でき、これらすべての品種のウェーハのコストを低減できる。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法にて結晶引上げしてウェーハ化したシリコンウェーハであり、ウェーハ中に炭素を1.0×1016atoms/cm3(new ASTM)以上含み、酸素誘起積層欠陥リングがウェーハ外周の内部に現れるか中心部で消滅したシリコンウェーハ。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C30B 29/06 A ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-158458   出願人：住友シチックス株式会社
• 特開平1-242493
  
• シリコン単結晶及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-093299   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開昭60-140716