特許

J-GLOBAL ID：200903086159489490

イオン注入法

発明者： 荒井 和雄 ,  吉田 貞史 ,  田上 尚男 ,  田中 保宣 ,  奥村 元
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314886
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150079
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【解決手段】半導体の伝導性制御のためのイオン注入法において、電気的活性をもたらすドーピング用イオンをパルス化してイオン注入し、或はこの注入と一定の時間関係を保って電気的に不活性な共注入パルスイオン或はパルス光或はパルス電子ビームを照射するイオン注入法。【効果】高いドーピングイオンフラックスでのイオン注入を行うことができる、更にドーピングイオンのミクロ注入状態制御を実現し、ドーパントの電気的活性化における最適制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体の伝導性制御のためのイオン注入法において、電気的活性をもたらすドーピング用イオンをパルス化してイオン注入することを特徴とするイオン注入法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/317

FI (5件)：

H01L 21/265 F ,  H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 T ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 602 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-122127
  
• 特開平2-016726
  
• 特開昭55-153328