特許
J-GLOBAL ID：200903086183340333
不揮発メモリ及び不揮発メモリへの書込み方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174824
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082294
出願日： 1999年06月22日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 書込み時に必要な最大電流が小さく、発生するノイズが少なく、これによって書込み精度を高めた半導体メモリ及び該半導体メモリへの書込み方法を提供する。【解決手段】 不揮発半導体メモリが、それぞれがメモリアレイを有する多重書込みパイプラインと、前記パイプラインにおいて書込み動作を逐次開始するタイミング回路と、プログラムされたメモリセルによって回路を作動させる共有された電荷ポンプ及び電圧調節回路とを有する。書込み動作の開始を時間的にずらす、即ちスタガリングすることにより、例えば、チャネルホット電子注入を利用した場合に書込み動作の開始時に発生するスパイクが、一度に発生するのではなく或る程度の時間に分散されるために、電荷ポンプに必要な電流を低減することができる。
請求項（抜粋）：
不揮発半導体メモリであって、複数の書込みパイプラインであって、各書込みパイプラインが、不揮発メモリセルのアレイと、前記アレイに接続された書込み回路とを有し、前記アレイにおける選択されたメモリセルに対する書込み動作が開始された時、前記書込み回路が第1電圧を前記選択されたメモリセルに印加して前記選択されたメモリセルに電流を流す、該複数の書込みパイプラインと、前記書込み回路により逐次書込み動作を開始するべく接続されたタイミング回路と、電源電圧から前記第1電圧を発生し、前記書込み回路に接続されて前記書込み動作のための前記第1電圧を供給する電荷ポンプとを有することを特徴とする不揮発半導体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 16/02
, G06F 12/06 523
G11C 17/00 611 E
, G06F 12/06 523 C
, G11C 17/00 641
