特許
J-GLOBAL ID:200903086277855094
ITO焼結体およびITOスパッタリングターゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-279550
公開番号(公開出願番号):特開平10-158827
出願日: 1997年09月26日
公開日(公表日): 1998年06月16日
要約:
【要約】【課題】 ITO膜の安定な形成を可能にするITOスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 酸化錫4〜15重量%を含む酸化錫と酸化インジウムの混合粉を成形密度45%以上の成形体とした後、酸素含有量20%以上100%未満の焼成雰囲気中において温度1400〜1600°Cで焼成し、相対密度88%以上で酸素含有量が15.5〜17.0重量%のITO焼結体を得る。該焼結体をターゲットとして用いてアルゴン・酸素混合ガス中でスパッタリングを行うと黒化が抑制され、混合ガス中酸素比率の最適範囲を0.6〜3.0%と広くとって安定なスパッタリングを行うことができる。
請求項(抜粋):
相対密度88%以上であり、酸素含有量が15.5〜17.0重量%であることを特徴とするITO焼結体。
IPC (5件):
C23C 14/34
, C01G 19/00
, C04B 35/64
, C23C 14/08
, C30B 29/22
FI (5件):
C23C 14/34 A
, C01G 19/00 A
, C23C 14/08 D
, C30B 29/22 Z
, C04B 35/64 A
引用特許:
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