特許
J-GLOBAL ID：200903086297353214
コンデンサ型マイクロホンの製造方法及びコンデンサ型マイクロホン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
北村 修一郎
, 山▲崎▼ 徹也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-157323
公開番号（公開出願番号）：特開2007-329559
出願日： 2006年06月06日
公開日（公表日）： 2007年12月20日
要約：
【課題】安価且つ簡単に、振動板の機械的強度が確保されたコンデンサ型マイクロホンを製造する方法を提供する。【解決手段】振動板Mと背極板Bとの間にスペーサ部材Sが配置されるコンデンサ部Cを備えるコンデンサ型マイクロホンの製造方法であって、単結晶シリコンからなる基板1の一方の表面にイオン注入を行って基板1の一方の表面に犠牲層2を形成する工程と、犠牲層2上に単結晶シリコン層3を堆積させる工程と、基板1の複数の箇所を基板1の他方の表面から犠牲層2までエッチングして基板1に複数の孔7を形成する工程と、複数の孔7を介して犠牲層2の一部をエッチングして基板1と単結晶シリコン層3との間に空間8を設けることで、単結晶シリコン層3からなる振動板Mと、複数の孔7を有する基板1からなる背極板Bと、残された犠牲層2からなるスペーサ部材Sとを形成する工程とを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
音響により振動する振動板と、複数の孔を有する背極板と、前記振動板と前記背極板との間に配置されるスペーサ部材とを有するコンデンサ部を備えるコンデンサ型マイクロホンの製造方法であって、
単結晶シリコンからなる基板の一方の表面にイオン注入を行って、当該基板の一方の表面に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層上に単結晶シリコン層を堆積させる工程と、
前記基板の複数の箇所を前記基板の他方の表面から前記犠牲層までエッチングして、前記基板に複数の孔を形成する工程と、
前記複数の孔を介して前記犠牲層の一部をエッチングして前記基板と前記単結晶シリコン層との間に空間を設けることで、前記単結晶シリコン層からなる前記振動板と、前記複数の孔を有する前記基板からなる前記背極板と、残された前記犠牲層からなる前記スペーサ部材とを形成する工程とを含むコンデンサ型マイクロホンの製造方法。
IPC (3件)：
H04R 19/04
, H04R 31/00
, H01L 29/84
H04R19/04
, H04R31/00 C
, H01L29/84 Z
4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA10
, 4M112EA03
, 4M112EA11
, 4M112EA18
, 4M112FA07
, 4M112FA20
, 4M112GA01
, 5D021CC19
, 5D021CC20
