特許
J-GLOBAL ID:200903086318019352
強誘電体素子、不揮発性強誘電体メモリ素子、インクジェット式記録ヘッド及びその製造方法並びにインクジェットプリンタ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-253480
公開番号(公開出願番号):特開2001-080995
出願日: 1999年09月07日
公開日(公表日): 2001年03月27日
要約:
【要約】【課題】 高い周波数応答を示し、高速駆動可能な強誘電体素子を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体素子は上部電極と下部電極に挟まれる強誘電体膜を備える。強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり、且つ下部電極に平行な結晶面が(110)面方位に優先配向している。かかる構成により、強誘電体素子が駆動する際にドメインの回転を伴わないため、高速駆動が可能となり、高い周波数応答を示すことができる。
請求項(抜粋):
上部電極及び下部電極に挟まれる強誘電体膜を備えた強誘電体素子において、前記強誘電体膜の結晶は疑似立方晶系であるか、又は疑似立方晶系、菱面体晶系若しくは正方晶系のうち少なくとも二つが混在している結晶系であり、且つ前記下部電極に平行な結晶面が(110)面方位に優先配向していることを特徴とする強誘電体素子。
IPC (8件):
C30B 29/32
, B41J 2/16
, C04B 35/49
, H01B 3/12 301
, H01L 27/10 451
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 41/09
FI (7件):
C30B 29/32 D
, H01B 3/12 301
, H01L 27/10 451
, B41J 3/04 103 H
, C04B 35/49 Z
, H01L 27/10 651
, H01L 41/08 C
Fターム (44件):
2C057AF02
, 2C057AG14
, 2C057AG16
, 2C057AG44
, 2C057AG52
, 2C057AG55
, 2C057AJ02
, 2C057AN01
, 2C057AP02
, 2C057AP14
, 2C057AP23
, 2C057AP32
, 2C057AP34
, 2C057AP52
, 2C057AP53
, 2C057AP54
, 2C057AP56
, 2C057AP57
, 2C057AQ02
, 4G031AA11
, 4G031AA12
, 4G031AA32
, 4G031BA09
, 4G031CA01
, 4G031CA02
, 4G031GA19
, 4G077AA03
, 4G077AB02
, 4G077BC43
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077HA11
, 5F083FR01
, 5F083HA10
, 5F083JA13
, 5F083JA15
, 5F083PR25
, 5G303AA10
, 5G303AB20
, 5G303BA03
, 5G303CA01
, 5G303CB25
, 5G303CB35
, 5G303CB39
引用特許: